کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675905 | 1008985 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on sulfur diffusion in CuInSe2 thin films using two thermal profiles
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An insurmountable disadvantage of CuInSe2 is the low band gap, which limits the open-circuit voltage to value well below 500 mV in solar cells. The incorporation of sulfur into CuInSe2 thin film was investigated to establish a scientific basis for the graded band gap CuIn(Se1 â x,Sx)2 thin films. CuIn(Se1 â x,Sx)2 thin films were obtained by reactive annealing of Cu11In9 precursors in a mixture of sulfur and selenium atmosphere while post-sulfurization of single phase CuInSe2 did not result in CuIn(Se1 â x,Sx)2 thin films. A band gap of 1.36 eV, was obtained for the prepared CuIn(Se1 â x,Sx)2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 15, 31 May 2007, Pages 6188-6191
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 15, 31 May 2007, Pages 6188-6191
نویسندگان
Rahana Yoosuf, M.K. Jayaraj,