کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675982 | 1518089 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical study of current transfer in thin variable-gap p-n structures with Ohmic contacts
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The paper theoretically investigates the carrier transport in a thin variable-gap p-n structure in which the band gap linearly increases from the structure's interface towards Ohmic contacts. The peculiarities of minority carrier redistribution taking place in the base regions for both directions of the current are established. The influence of band-gap grading on the direct and reverse branches of current-voltage characteristics, particularly, on formation of a portion with negative differential resistance at the reverse bias is discussed. The results of calculations are illustrated for a variable-gap p-n structure based on HgCdTe solid solution.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 513, Issues 1â2, 14 August 2006, Pages 43-46
Journal: Thin Solid Films - Volume 513, Issues 1â2, 14 August 2006, Pages 43-46
نویسندگان
B.S. Sokolovskii,