کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676050 | 1008989 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band gaps and defect levels in functional oxides
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Most ab-initio calculations of the electronic structure use the local density approximation, which gives good structural data but severely underestimates the band gaps of semiconductors and insulators. This paper presents calculations of the band structures and oxygen vacancy levels of some important oxide semiconductors and insulators, using density functional methods which do give more accurate band gaps. The materials SnO2, Cu2O, SrCu2O2, CuAlO2, SrTiO3, HfO2, ZrO2, La2O3, ZrSiO4, and SiO2 are covered.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 496, Issue 1, 1 February 2006, Pages 1–7
Journal: Thin Solid Films - Volume 496, Issue 1, 1 February 2006, Pages 1–7
نویسندگان
J. Robertson, K. Xiong, S.J. Clark,