کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676170 | 1518099 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structure of amorphous and microcrystalline silicon thin films prepared at various gas pressures and gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We prepared hydrogenated silicon thin films at various gas pressures and gas flow rates by hot-wire chemical vapor deposition (HW-CVD) and investigated the influence of these parameters on their structural properties using X-ray diffraction and Raman spectroscopy. Deposition rate showed a maximum at gas pressure of 500 mTorr and increased with increasing the silane gas flow rate F(SiH4). Gas pressure at which transition from amorphous to microcrystalline occurred increased with increasing the F(SiH4). The mean crystallite size and crystalline volume fraction increased monotonously with the increase in the gas pressure and the decrease in the F(SiH4).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 501, Issues 1–2, 20 April 2006, Pages 102–106
Journal: Thin Solid Films - Volume 501, Issues 1–2, 20 April 2006, Pages 102–106
نویسندگان
T. Daimaru, A. Tabata, T. Mizutani,