کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676245 | 1518095 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Application of TEM to the development of information storage materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
One of the most spectacular examples of nanomagnetic systems is that of devices based on the giant magnetoresistance (GMR) or tunnel magnetoresistance (TMR) phenomena. The device response depends critically on parameters such as layer thickness and chemical abruptness of the interfaces between layers, which are nanometre-scale in thickness. We have used high resolution electron microscopy (HREM) and TEM chemical mapping to understand the microstructural origins of the magnetic and transport properties of magnetoresistive structures. We have also used Lorentz TEM and in situ magnetising experiments to analyse their magnetic structure and magnetisation reversal processes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 505, Issues 1â2, 18 May 2006, Pages 10-15
Journal: Thin Solid Films - Volume 505, Issues 1â2, 18 May 2006, Pages 10-15
نویسندگان
A.K. Petford-Long, A. Kohn, T. Bromwich, V. Jackson, F. Castaño, L.J. Singh,