کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676272 | 1518095 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of CrTe thin films by molecular-beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the growth of Cr1−δTe films on (100) GaAs substrates using ZnTe buffer layers by solid-source molecular-beam epitaxial technique. RHEED patterns indicate a clear structural change during the initial stages of deposition. Temperature-dependent magnetization results reveal that different NiAs-related phases of Cr1−δTe can be obtained at different substrate temperatures. By varying the film thickness, a metastable zinc blende structure of CrTe could be obtained at lower substrate temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 505, Issues 1–2, 18 May 2006, Pages 133–136
Journal: Thin Solid Films - Volume 505, Issues 1–2, 18 May 2006, Pages 133–136
نویسندگان
M.G. Sreenivasan, X.J. Hou, K.L. Teo, M.B.A. Jalil, T. Liew, T.C. Chong,