کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676306 | 1008995 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Etching characteristics and modeling for oval-shaped contact
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, etching characteristics of oval-shaped contact were investigated. The oval-shaped contact showed different etching characteristics compared to the circular contact. The long axis cross-section of oval-shaped contact showed a more vertical profile and a less bowing compared to the short axis. To explain these phenomena, we simulated ion reflection from sloped oval-shaped hard-mask. From the simulation, we found that the ions reflected from hard-mask accumulated more toward short axis sidewall first. This ion accumulation and asymmetric charging explained the reason behind larger bowing and slopped profile phenomena of short axis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 12, 23 April 2007, Pages 4923–4927
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 12, 23 April 2007, Pages 4923–4927
نویسندگان
Sung-Chan Park, Seok-Hyun Lim, Chul-Ho Shin, Gyung-Jin Min, Chang-Jin Kang, Han-Ku Cho, Joo-Tae Moon,