کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676401 | 1518100 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
X-ray reflection spectroscopy of the HfO2/SiO2/Si system in the region of the O-K absorption edge
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The paper shows the importance of soft X-ray reflection spectroscopy as a non-destructive in-depth characterization tool of the local atomic structure of high-k dielectric planar HfO2/SiO2/Si systems. The data obtained in the region of the O-K absorption edge demonstrate that the variation of the glancing angle enables the depth profilometry of the sample. By using the Kramers-Kronig analysis the reflection spectra are transformed into absorption spectra, from which the local physico-chemical environment of oxygen atoms is deduced, allowing also the knowledge of the local atomic structure and point defects associated with a thin superficial layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 500, Issues 1â2, 3 April 2006, Pages 219-223
Journal: Thin Solid Films - Volume 500, Issues 1â2, 3 April 2006, Pages 219-223
نویسندگان
E.O. Filatova, P. Jonnard, J.-M. André,