کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676472 | 1008997 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Degradation characteristics and light-induced effects of polymer thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Polymer thin-film transistors based on poly(2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene vinylene) have been fabricated by spin-coating process and characterized. The electrical characteristics of the devices stored in dry air show obvious degradation with a smaller mobility due to oxygen effect, and lower threshold voltage. The devices present good optical response in low-light condition and optically induced memory effects, demonstrating their use as promising smart light-detection devices. Moreover, solution preparation, deposition and device measurements have been all performed in the air for the purpose of large-area applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 11, 9 April 2007, Pages 4808-4811
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 11, 9 April 2007, Pages 4808-4811
نویسندگان
Y.R. Liu, J.B. Peng, P.T. Lai, K.X. Yang, Y. Cao,