کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676611 | 1009005 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron energy-loss spectroscopy investigation of Y2O3 films on Si (001) substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electron energy-loss spectroscopy investigation of Y2O3 films on Si (001) substrate Electron energy-loss spectroscopy investigation of Y2O3 films on Si (001) substrate](/preview/png/1676611.png)
چکیده انگلیسی
Electron energy -loss spectroscopy has been used to investigate the interface between a Y2O3 film and the silicon substrate. The chemical composition of the interface layer is revealed to be nearly pure amorphous SiO2. Yttrium silicates are found at the Y2O3/SiO2 interface region. The formation of the interfacial yttrium silicates has been interpreted by the direct chemical reaction between the deposited Y2O3 film and the SiO2 interface layer. The Si L23 and O K edges of yttrium silicates (Y2SiO5 and Y2Si2O7) have been calculated by the first-principle full multiple - scattering method. The theoretical results are consistent with the experimental spectra, which confirms the formation of yttrium silicates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 496, Issue 2, 21 February 2006, Pages 266–272
Journal: Thin Solid Films - Volume 496, Issue 2, 21 February 2006, Pages 266–272
نویسندگان
Jingmin Zhang, Fabien Paumier, Thomas Höche, Frank Heyroth, Frank Syrowatka, Rolly J. Gaboriaud, Hartmut S. Leipner,