کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676671 | 1009005 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaN:Eu electroluminescent devices grown by interrupted growth epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we report on electroluminescent devices fabricated using Eu-doped GaN films grown by interrupted growth epitaxy (IGE). IGE is a combination of conventional molecular beam epitaxy and migration enhanced epitaxy. It consists of a sequence of ON/OFF cycles of the Ga and Eu beams, while the N2 plasma is kept constant during the entire growth time. IGE growth of GaN:Eu resulted in significant enhancement in the Eu emission intensity at 620.5 nm. The nitridation of the surface that occurs during the OFF cycle appears to be the dominant process producing the enhancement. Thick dielectric devices fabricated on glass substrates using IGE-grown GaN:Eu have resulted in luminance of ∼1000 cd/m2 and luminous efficiency of ∼0.15 lm/W.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 496, Issue 2, 21 February 2006, Pages 636–642
Journal: Thin Solid Films - Volume 496, Issue 2, 21 February 2006, Pages 636–642
نویسندگان
C. Munasinghe, A.J. Steckl,