کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676743 | 1009007 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of the nature of oxide matrix on the photoluminescence spectrum of ion-synthesized silicon nanostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The photoluminescence of various Si ion implanted oxide layers annealed at high-temperature has been studied in the range of 350–1500 nm. The set of investigated oxide materials includes thermal SiO2, deposited SiO2, Si0.9Ge0.1O2, GeO2 films on silicon substrate, and sapphire wafers. The results are discussed in terms of generation and modification of the defect centers and nanoclusters formation taking into account several factors related to composition and structure of the original oxide matrices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 1, 25 September 2006, Pages 333–337
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 1, 25 September 2006, Pages 333–337
نویسندگان
D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.V. Ershov, A.P. Kasatkin, V.A. Kamin, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.M. Gaponova, L. Pavesi, L. Ferraioli, T.G. Finstad, S. Foss,