کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676882 | 1518093 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Morphological change of Co-nanodot on SiO2 by thermal treatment
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Morphological changes of Co nanodots on SiO2 layers by thermal treatment have been investigated. Co nanodots were formed by molecular beam deposition of Co on SiO2 layers with substrate temperatures (30–600 °C) and subsequent post-annealing (500–800 °C). For samples deposited at low temperatures (30–280 °C), the diameter and the density of nanodots increased and decreased, respectively, with increasing post-annealing temperature. On the other hand, the diameter and the density of nanodots scarcely changed by post-annealing for samples deposited at high temperatures (430–600 °C). These morphological changes by the post-annealing can be explained on the basis of the stress relaxation in the deposited Co films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 178–181
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 178–181
نویسندگان
Koji Ueda, Taizoh Sadoh, Atsushi Kenjo, Fumiya Shoji, Kaoru Sato, Hiroyuki Kurino, Mitsumasa Koyanagi, Masanobu Miyao,