کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676893 | 1518093 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-assembled epitaxial NiSi2 nanowires on Si(001) by reactive deposition epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Self-assembled epitaxial NiSi2 nanowires have been fabricated on Si(001) by reactive deposition epitaxy (RDE). The RDE method promoted nanowire growth since it provides deposited atoms sufficient kinetic energy for movement on the Si surface during the growth of silicide islands. The twin-related interface between NiSi2 and Si is directly related to the nanowire formation since it breaks the symmetry of the surface and leads to the asymmetric growth. The temperature of RDE was found to greatly influence the formation of nanowires. By RDE at 750 °C, a high density of NiSi2 nanowires was formed with an average aspect ratio of 30.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1â2, 5 June 2006, Pages 222-225
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1â2, 5 June 2006, Pages 222-225
نویسندگان
S.Y. Chen, L.J. Chen,