کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676915 | 1518093 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of lateral and vertical scaling on the reliability of a low-complexity 200 GHz SiGe:C HBT
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
As device scaling for high-performance bipolar transistors continues, not only the vertical scaling but also the lateral scaling with reduction of the parasitics can have an important impact on the reliability of the HBT. In this work we will present the impact on the RF performance and the reliability of the vertical and lateral scaling of a SiGe:C HBT with a low-complexity QSA (quasi self-aligned) architecture. The reliability will be assessed for three different stress modes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1â2, 5 June 2006, Pages 318-322
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1â2, 5 June 2006, Pages 318-322
نویسندگان
A. Piontek, L.J. Choi, S. Van Huylenbroeck, T. Vanhoucke, E. Hijzen, S. Decoutere,