کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676931 | 1518093 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photo current through SnO2/SiC/p-Si(100) structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Electrical properties of metal/SiC/p-Si(100) structures have been examined under conditions with and without light exposure. SiC films are formed by thermal chemical vapor deposition using a monomethylsilane gas, and are amorphous. The dark current density of the metal/SiC/p-Si structure at positive voltages is lower than that at negative voltages. The difference between the photo and dark current of metal/SiC/p-Si structures is relatively large at positive voltages. A SnO2/SiC/p-Si structure has high sensitivity compared with an Al/SiC/p-Si structure. Metal/SiC/p-Si structures can be used as photodetectors at positive voltages.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 385–388
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 385–388
نویسندگان
Syuhei Nishikawa, Hideaki Hashimoto, Motonori Chikamoto, Kosuke Horikoshi, Minoru Aoki, Kenta Arima, Junichi Uchikosi, Mizuho Morita,