کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1677108 | 1518102 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanism for Cu void defect on various electroplated film conditions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Mechanism for Cu void defect on various electroplated film conditions Mechanism for Cu void defect on various electroplated film conditions](/preview/png/1677108.png)
چکیده انگلیسی
This study observes that copper (Cu) films deposited by high current densities or in an aged electrolyte easily generate void defects after chemical mechanical polishing (CMP). The (111)/(200) ratio and the impurity amount of an electroplated Cu film are found to have strong correlation with the formation of void defects. Furthermore, pulse-reverse waveform plating following direct current plating is used for the deposition of partial Cu films that will be exposed after Cu CMP. This new scheme produces a void-less Cu surface after CMP.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 498, Issues 1–2, 1 March 2006, Pages 56–59
Journal: Thin Solid Films - Volume 498, Issues 1–2, 1 March 2006, Pages 56–59
نویسندگان
H.P. Feng, M.Y. Cheng, Y.L. Wang, S.C. Chang, Y.Y. Wang, C.C. Wan,