کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1677114 | 1518102 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Uniform CoSi2 nano-nucleus formation by oxide mediated silicidation with a Ti capping layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The nucleation stage toward CoSi2 with average island size of about 4 nm and uniform island size distribution is obtained from a TiN/Co/Ti/Co/SiOx/Si multilayer with the SiOx as a mediated layer by annealing at 460 °C for 240 s followed by 600 °C 240 s. It is found that Ti capping layer can enhance Co diffusion into the Si substrate at higher temperature (600 °C 240 s) annealing, which results in larger nucleus size (average grain size about 12 nm) but nonuniform nucleus size distribution. However, two-step annealing for 460 °C 240 s followed by 600 °C 240 s results in a smaller average nucleus size with better nucleus size distribution. The mechanism responsible for the discrepancy is discussed in the paper.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 498, Issues 1–2, 1 March 2006, Pages 85–89
Journal: Thin Solid Films - Volume 498, Issues 1–2, 1 March 2006, Pages 85–89
نویسندگان
Juin-Jie Chang, Tsung-Eong Hsieh, Chuan-Pu Liu, Ying-Lang Wang,