کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794885 | 1023709 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of green GaInN-based light emitting diodes on free-standing non-polar GaN templates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We demonstrate homoepitaxial growth of GaInN/GaN-based green (500–560 nm) light emitting diodes (LEDs) on a-plane and m-plane quasi-bulk GaN prepared by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). We find that in order to achieve an emission peak wavelength beyond 500 nm, a minimum InN-fraction of ∼14% is needed for both, a- and m-plane quantum wells (QWs), while ∼8% are enough for c-plane-oriented QWs. Besides increasing the InN-fraction in these non-polar QWs, widening the QW also proves to effectively shift the emission to longer wavelengths without loosing efficiency with the benefit of maintaining a low InN-fraction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 2937–2941
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 2937–2941
نویسندگان
T. Detchprohm, M. Zhu, Y. Li, Y. Xia, L. Liu, D. Hanser, C. Wetzel,