کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1797119 | 1023769 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Long wavelength and narrow photoluminescence linewidth from InAs quantum dots with GaAs cap layer on GaAs (1Â 0Â 0) substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Growth interruption during the formation of InAs quantum dots (QDs) on a GaAs (1Â 0Â 0) substrate has been investigated in detail. A total of 1.9 mono layers (MLs) of an InAs QD nucleation layer was grown continuously to form a seed with high density. Further, the supply of up to 3Â MLs of InAs with a growth interruption of 15Â s for every 0.11Â ML showed that photoluminescence intensity was improved by 23 times and red-shifted the photoluminescence emission nearly 42Â nm. The continuous growth up to 1.9Â MLs helped to double the dot density. 3.3Â MLs of InAs embedded in a GaAs matrix, grown using interruption showed a strong RT photoluminescence peak at around 1272Â nm with a very narrow FWHM of 27.1Â meV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 289, Issue 1, 15 March 2006, Pages 14-17
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 289, Issue 1, 15 March 2006, Pages 14-17
نویسندگان
Shanmugam Saravanan, Hitoshi Shimizu,