کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970816 1450303 2017 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single-trap analysis of hot-carrier-induced gate oxide degradation in Flash memory cells
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل تک دامنه از تخریب اکسید دروازه ناشی از حامل در سلول های حافظه فلش
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش مقاله
تجزیه و تحلیل تک دامنه از تخریب اکسید دروازه ناشی از حامل در سلول های حافظه فلش
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 71-75
نویسندگان
, ,