کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5395673 | 1505727 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Backside versus frontside advanced chemical analysis of high-k/metal gate stacks
ترجمه فارسی عنوان
تحلیل شیمیایی پیشرفته کابین بلند بالا / فلز در پشت و در مقابل جلو
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
Downscaling of transistors beyond the 14Â nm technological node requires the implementation of new architectures and materials. Advanced characterization methods are needed to gain information about the chemical composition of buried layers and interfaces. An effective approach based on backside analysis is presented here. X-ray photoelectron spectroscopy, Auger depth profiling and time-of-flight secondary ions mass spectrometry are combined to investigate inter-diffusion phenomena. To highlight improvements related to the backside method, backside and frontside analyses are compared. Critical information regarding nitrogen, oxygen and aluminium redistribution inside the gate stacks is obtained only in the backside configuration.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 203, August 2015, Pages 1-7
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 203, August 2015, Pages 1-7
نویسندگان
E. Martinez, B. Saidi, M. Veillerot, P. Caubet, J-M. Fabbri, F. Piallat, R. Gassilloud, S. Schamm-Chardon,