کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
540540 871316 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect gap states on III–V semiconductor–oxide interfaces (invited)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Defect gap states on III–V semiconductor–oxide interfaces (invited)
چکیده انگلیسی

Interfaces models of (1 0 0)GaAs and various high K oxides such as HfO2, Gd2O3 or Al2O3 are used to study the interfacial defects and mis-bonded sites which can introduce states into the semiconductor gap, and cause the Fermi level pinning observed in FETs.

Figure optionsDownload as PowerPoint slide

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 7, July 2011, Pages 1440–1443
نویسندگان
, ,