کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540540 | 871316 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect gap states on III–V semiconductor–oxide interfaces (invited)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Interfaces models of (1 0 0)GaAs and various high K oxides such as HfO2, Gd2O3 or Al2O3 are used to study the interfacial defects and mis-bonded sites which can introduce states into the semiconductor gap, and cause the Fermi level pinning observed in FETs.
Figure optionsDownload as PowerPoint slide
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 7, July 2011, Pages 1440–1443
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 7, July 2011, Pages 1440–1443
نویسندگان
J. Robertson, L. Lin,