کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543399 | 1450394 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance and reliability of advanced High-K/Metal gate stacks (Invited Paper)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper provides a systematic study of mobility performance and Bias Temperature Instabilities (BTI) reliability in advanced dielectrics stacks. By studying a large variety of dielectric stacks we clearly demonstrate that mobility performance, interface defects Nit and Negative BTI reliability are strongly correlated. All are affected by nitrogen species N which is clearly identified as the main mobility killer when it reaches unintentionally the Si interface during the deposition of nitrided gates or the nitridation steps.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1609–1614
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1609–1614
نویسندگان
X. Garros, M. Casse, G. Reimbold, M. Rafik, F. Martin, F. Andrieu, V. Cosnier, F. Boulanger,