| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 5465718 | 1517970 | 2017 | 29 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Compositionally tunable optical properties of hafnium titanium oxide films deposited by atomic layer deposition without intermediate surface hydroxylation
												
											ترجمه فارسی عنوان
													خواص نوری قابل تنظیم از لحاظ ساختاری فیلم های اکسید تیتانیوم هافنیوم که از طریق رسوب لایه اتمی بدون هیدروکسیلاسیون سطح متوسط 
													
												دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی مواد
													فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
												
											چکیده انگلیسی
												A technique for films deposition with a composition gradient over the substrate area was suggested. (TiO2)x(HfO2)1 â x films with a monotonously varying coefficient “x” over the length of the sample (combinatorial library) were prepared using the physicochemical features of atomic layer deposition (ALD) method. Systematic research on the deposited films thickness and optical properties was carried out by the methods of monochromatic (scanning) and spectral ellipsometry using the appropriate dispersion models. This allowed estimating the range of HfO2 and TiO2 concentrations, realized in the sample deposited by the proposed technique. The variation ranges of the thickness d, refractive index n(E), and optical band gap Eg were found. The obtained results provide further information on the chemical reactions occurring in this kind of ALD processes.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 642, 30 November 2017, Pages 103-109
											Journal: Thin Solid Films - Volume 642, 30 November 2017, Pages 103-109
نویسندگان
												M.S. Lebedev, V.N. Kruchinin, M.I. Lebedeva, E.V. Spesivtsev, 
											