کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5465901 | 1517974 | 2017 | 21 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of precursor uniformity on the performance of Cu2ZnSnSxSe4 â x thin film solar cells prepared by the sputtering method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report the effects of precursor uniformity on the efficiency of Cu2ZnSnSxSe4 â x (CZTSSe) solar cells using sputtered precursors. The reduction of Sn cluster agglomeration in the Cu/Sn/Zn stacked precursor created synthesis of more uniformly distributed CZTSSe absorbers during the annealing process. The secondary phase difference between the 80 W and 40 W sputtered CZTSSe absorbers was confirmed with Raman analysis at 178 cmâ 1 and 259 cmâ 1. The 40 W sputtered CZTSSe cell produced blue region enhancement of external quantum efficiency results due to improvement of the pn-junction properties. The CZTSSe 40 W cells achieved a maximum power conversion efficiency of 5.7% and short-circuit current of 32.4 mA/cm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 638, 30 September 2017, Pages 305-311
Journal: Thin Solid Films - Volume 638, 30 September 2017, Pages 305-311
نویسندگان
Woo-Lim Jeong, Jung-Hong Min, Hae-Sun Kim, In-Young Kim, Jin-Hyeok Kim, Dong-Seon Lee,