کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5465904 | 1517974 | 2017 | 42 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of blending polymer insulators on the improvement of the performance of poly(3-hexylthiophene) transistors
ترجمه فارسی عنوان
اثر ترکیب عایق پلیمر بر بهبود عملکرد ترانزیستورهای پلی (3-هگزیلوتیوفن)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
پلی (3-هگزیل تیوفن)، ترانزیستور، عایق پلیمر،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
This study investigated the correlations between the microstructure and electrical properties of regioregular poly(3-hexylthiophene) (rr-P3HT) blended with polystyrene, poly(vinyl phenol), or poly(methyl methacrylate) (PMMA) thin-film transistors (TFTs). Compared with pure rr-P3HT TFT, the blended rr-P3HT TFTs exhibited superior characteristics such as higher on/off current ratio of approximately 104, lower leakage current of < 10â 11 A, smaller sub-threshold swing of approximately 2.09 V/dec, and higher mobility of approximately 8.18 Ã 10â 3 cm2/Vs. The suppression of the leakage current of the sub-threshold and off regimes may be attributed to the enhanced oxygen/humidity resistance of blended rr-P3HT TFTs. The evaluation of the physical properties showed that polymer insulators positively contributed to the morphology, molecular orientation, and effective conjugated length of the rr-P3HT film, thereby enhancing the device characteristics. The hybrid Al2O3/PMMA gate insulator was also utilized to apply low-voltage TFTs with rr-P3HT/polymer blends and yielded a low operation voltage of â 2 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 638, 30 September 2017, Pages 441-447
Journal: Thin Solid Films - Volume 638, 30 September 2017, Pages 441-447
نویسندگان
Ming Tzu Chung, Zhong En Tsay, Ming Han Chi, Yu Wu Wang,