کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5465963 1517977 2017 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Feasibility study into the deposition of an organic planarization layer using sequential polymerization initiated chemical vapor deposition
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه امکان سنجی برای رسوب یک لایه برداری ارگانیک با استفاده از پلیمریزاسیون پیوسته، آغاز رسوب بخار شیمیایی است
کلمات کلیدی
پلاناریزاسیون، آغاز تخلیه بخار شیمیایی، پلیمریزاسیون متوالی میکروسکوپ الکترونی اسکن،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
In this work, we investigated the film growth and planarization properties of sequential polymerization initiated chemical vapor deposition method (SP-iCVD). Supersaturated concentration of monomer and small amount of initiator were introduced sequentially into chamber. The obtained film properties such as uniformity, polymer molecular weight and thermal stability were same or better than iCVD processed film. Additionally, good planarization of high aspect ratio (7:1) patterned wafer was demonstrated in SP-iCVD. The overburden from top of feature was within 20 nm and film thickness between isolated and dense feature areas was very uniform in this single-step process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 635, 1 August 2017, Pages 23-26
نویسندگان
, , , ,