کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5465970 | 1517977 | 2017 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlling the geometrical orientation of hot-wire chemical vapor process grown silicon nanowires
ترجمه فارسی عنوان
کنترل جهت هندسی نانوسیم سیلیکونی تولید شده از سیم بخار شیمیایی سیم داغ
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
In this work, the effect of chamber pressure on the morphology of hot wire chemical vapor processed silicon nanowires (SiNWs) using Sn as catalyst has been studied. It is observed that their geometrical orientation can be controlled as per requirement by adjusting the growth pressure. SiNWs synthesized at low pressure of 0.67Â Pa grow preferentially perpendicular to the substrate. If the pressure is increased to 2.7Â Pa, SiNWs become tilted to the substrate and have bending type structure with random distribution. Further increase in the chamber pressure to 4Â Pa very few wires are seen to grow and at 5.3Â Pa no-growth of SiNWs is observed. Transmission electron microscopy study shows that the straight SiNWs have crystalline structure whereas the bent ones show polycrystalline structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 635, 1 August 2017, Pages 58-62
Journal: Thin Solid Films - Volume 635, 1 August 2017, Pages 58-62
نویسندگان
Ankur Soam, Nagsen Meshram, Nitin Arya, Alka Kumbhar, Rajiv Dusane,