کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5465979 | 1517975 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High performance a-InZnSnO thin-film transistor with a self-diffusion-barrier formable copper contact
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A low resistivity copper (Cu) film was used as a source/drain contact layer to fabricate high performance amorphous In-Zn-Sn-O (a-IZTO) thin-film transistors (TFTs). The calcium (Ca)-doped Cu films greatly simplified the conventional Cu/diffusion barrier stack structure and process, which allowed the production of promising a-IZTO TFTs with a saturation mobility of 22.8Â cm2/Vs and an ION/OFF ratio of 108. Furthermore, the a-IZTO TFTs with the Ca-doped Cu contact exhibited better gate bias thermal stress-induced stabilities than those with the pure Cu contact. This was attributed to the effective formation of a self-diffusion CuOx barrier at the Cu/IZTO interfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 637, 1 September 2017, Pages 3-8
Journal: Thin Solid Films - Volume 637, 1 September 2017, Pages 3-8
نویسندگان
Sang Ho Lee, Dong Ju Oh, Ah Young Hwang, Jong Wan Park, Jae Kyeong Jeong,