کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5466174 1517983 2017 35 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microstructure and mechanical properties of sputter deposited tantalum nitride thin films after high temperature loading
ترجمه فارسی عنوان
خواص میکروارگانیسم و ​​خواص مکانیکی فیلمهای نازک تانتالیوم سپرده شده پس از بارگیری دمای بالا
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
خواص نانوسیم تانتالیم نیترید اسپری ناپیوسته با ضخامت و بدون شکاف در وفل سیلیکون خالص و اکسید شده با توجه به استفاده بالقوه از آنها به عنوان سنسورهای فشار در سنسورهای میکرو تراش برای کاربردهای محیطی سخت مورد بررسی قرار گرفتند. فیلم های نازک با استفاده از اسپکتروم جریان مستقیم مگنترون با فشار ثابت و قدرت پلاسما ذخیره می شوند. برای کاهش درجه حرارت رسوب، سینتیزاسیون فیلم در فواصل زمانی انجام می شود که امکان استفاده از تکنولوژی برش را برای طراحی الگوی نازک فراهم می کند. برای ارزیابی خواص میکروسیستم، شیمیایی و مکانیکی فیلم، انواع مختلفی از تکنیک هایی نظیر پرتو یونی متمرکز، میکروسکوپ الکترونی اسکن، طیف سنجی فوتوالکتریک اشعه ایکس، اسپکتروسکوپ نوری نوری، پراش اشعه ایکس و اندازه گیری کمان ویفر استفاده شد. اساسا اکسیداسیون حرارتی فیلمهای نازک منجر به تغییر استرس فیلم نازک از طریق نفوذ اکسیژن می شود که علاوه بر افزایش ضخامت فیلم و مقاومت نیز افزایش می یابد. در نهایت، تأثیر طول فاصله در سینتتیکس فیلم مورد بررسی قرار می گیرد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
The properties of tantalum nitride thin films sputter deposited with and without breaks on pure and oxidized silicon wafers were investigated with respect to their potential use as strain gauges in micromachined sensors for harsh environmental applications. The thin films were deposited using direct current magnetron sputtering at a constant back pressure and plasma power. To lower the deposition temperature the film synthetization is done in intervals allowing the use of lift-off technology to pattern the thin films. For the evaluation of microstructural, chemical and mechanical film properties, a large variety of techniques such as focused ion beam, scanning electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, glow discharge optical emission spectroscopy, X-ray diffraction and wafer bow measurements were applied. Basically, the thermal oxidation of the thin films leads to a change of thin film stress due to oxygen penetration resulting in addition in an increase in film thickness and resistivity. Finally, the impact of interval length during film synthetization is investigated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 629, 1 May 2017, Pages 69-78
نویسندگان
, , ,