کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5466419 | 1517991 | 2017 | 26 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Method for Al thin film surface nanostructuring using Al imprinting and anodic oxidation: Application to a high capacitance density metal-insulator-metal capacitor
ترجمه فارسی عنوان
روش برای ساخت نانوساختاری سطح نان فیلم آل نانو با استفاده از آلومینیوم و اکسیداسیون آنود: کاربرد در خازن های فلزی خازنی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
A method for Al thin film surface nanostructuring using Al imprinting with a silicon insert and subsequent anodic oxidation and selective oxide removal for nanostructure thinning and surface smoothing is presented. Al imprinting results in direct pattern transfer of the Si insert pattern, while anodic oxidation results in an increase of the nanostructure pattern aspect ratio due to the observed anodic oxidation anisotropy between the vertical direction and sidewalls. Al lines of 120Â nm width and height-to-width ratio of 6 were thus achieved, starting from a Si insert of 500Â nm wide lines with a height-to-width ratio of 1, resulting in an effective surface area increase ÃÂ 2.4, confirmed by a corresponding capacitance density increase of a MIM capacitor using the nanostructured Al thin film as the bottom electrode. The developed method is simple, fast, versatile, and does not require any expensive equipment for its realization. It can be used for the formation of a variety of different nanostructures on the Al surface, for use in a large variety of applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 621, 1 January 2017, Pages 36-41
Journal: Thin Solid Films - Volume 621, 1 January 2017, Pages 36-41
نویسندگان
Emmanouel Hourdakis, Androula G. Nassiopoulou,