کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5466473 | 1517993 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of thin MnSi and MnGe layers prepared by reactive UV pulsed laser deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Reactive pulsed laser deposition is a technique suitable for producing homogenous thin layers of silicon or germanium with high concentration of embedded manganese atoms. Linear calibration of EDS (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) was utilized for an elemental analysis of thin layers. MnSi and MnGe (manganese-silicon and manganese-germanium) layers containing non-oxidized Mn were obtained for Mn molar concentration in the range from 15 to 50%. Electron diffraction showed an amorphous character of MnSi layers. MnGe layers contained two different types of nanoparticles incorporated inside an amorphous matrix. The layers were semiconducting with resistivities from 10â 3 to 10â 5 Ω m.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 619, 30 November 2016, Pages 73-80
Journal: Thin Solid Films - Volume 619, 30 November 2016, Pages 73-80
نویسندگان
M. Kostejn, R. Fajgar, P. Dytrych, J. Kupcik, V. Drinek, V. Jandova, S. Huber, F. Novotny,