کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5466558 | 1398905 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Shallow trench isolation geometric influence of a recessed surface on array-type arrangements of nano-scaled devices strained by contact etch stop liner and Ge-based stressors
ترجمه فارسی عنوان
نفوذ هندسی نفوذ نیمه جامد از یک سطح محصور بر روی آرایه نوع تدارکات دستگاه های نانو مقیاس کشش شده توسط لاینر توقف تماس اچ و عوامل استرس ژئواستراتژیک
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ژرمانیوم سیلیکون تحت فشار، فشرده سازی تماس اچ توقف لاینر، استرس دستگاه شبیه سازی عددی، به دست آوردن تحرک، جدایی طاق کوچک،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Given the reduction in size of hole-containing metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (pMOSFETs) to break Moore's law, extensive researches have been conducted to improve the performance of nano-scaled devices with the use of strained engineering. The layout patterns of devices combined with the introductions of manufacturing processes would cause recessed surfaces of shallow trench isolation (STI) and change the stress-induced mobility of the whole transistors. To address this issue, a process-oriented stress simulation with a 20Â nm nano-scaled short channel device and a 100Â nm gate width is presented to extract channel stress components and calculate mobility gain, subsequently. Moreover, the layout effect of dummy active of diffusion is also considered. The proposed pMOSFET is composed of STI, a source/drain lattice mismatched silicon-germanium alloy, and a compressed contact etch stop liner (CESL) stressor. The recessed height of STI is reduced from 0Â nm to 15Â nm in the planarization process. The results show the recessed height effects of STI on the stresses and mobility variation of device channel is not obvious. By contrast, CESL with intrinsic stress plays an important role to modulate device mobility.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 618, Part A, 1 November 2016, Pages 172-177
Journal: Thin Solid Films - Volume 618, Part A, 1 November 2016, Pages 172-177
نویسندگان
Chia-Ping Hsieh, Ming-Han Liao, Chang-Chun Lee, Tsung-Chieh Cheng, Chien-Ping Wang, Pei-Chen Huang, Sen-Wen Cheng,