کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5466574 | 1398906 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sol-gel deposition of Pb(Zr,Ti)O3 on GaAs/InGaAs quantum well heterostructure via SrTiO3 templates: Stability of the semiconductor during oxide growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Sol-gel deposition of Pb(Zr,Ti)O3 on GaAs/InGaAs quantum well heterostructure via SrTiO3 templates: Stability of the semiconductor during oxide growth Sol-gel deposition of Pb(Zr,Ti)O3 on GaAs/InGaAs quantum well heterostructure via SrTiO3 templates: Stability of the semiconductor during oxide growth](/preview/png/5466574.png)
چکیده انگلیسی
Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) layers were grown by sol-gel deposition on a InGaAs/GaAs quantum well heterostructure. Prior to PZT deposition, a thin SrTiO3 template is fabricated by molecular beam epitaxy. X-ray diffraction and transmission electron microscopy are used to analyse the structural quality of the epitaxial stack. Photoluminescence experiments allow for assessing the effect of PZT growth on the quantum well emission. Despite significant oxygen diffusion through the III-V heterostructure, conditions are found to maintain room temperature photoluminescence of the quantum wells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 617, Part B, 30 October 2016, Pages 67-70
Journal: Thin Solid Films - Volume 617, Part B, 30 October 2016, Pages 67-70
نویسندگان
B. Meunier, L. Largeau, P. Regreny, R. Bachelet, B. Vilquin, J. Penuelas, G. Saint-Girons,