کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489178 | 1524352 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Light emission enhancement from Ge quantum dots with phosphorous δ-doped neighboring confinement structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Room-temperature photoluminescence intensity from Germanium (Ge) quantum dots (QDs) is highly enhanced by the Phosphorous (P) δ-doping at Ge QDs/Si interfaces since stronger confinements of electrons at the interfaces can be realized by the doping. Suppression of surface segregation of the doped P atoms, which is essential for the δ-doping with a sharp profile, is realized by the control of growth temperatures of Ge QDs and spacer-Si layers after P doping. It is, therefore, concluded that higher efficiency light emitting devices can be realized based on Ge QDs with optimal n-type doping and growth conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 131-134
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 131-134
نویسندگان
K. Sawano, T. Nakama, K. Mizutani, N. Harada, X. Xu, T. Maruizumi,