کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
729391 | 892890 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of high-K gate stacks with epitaxial Gd2O3 and FUSI NiSi metal gates down to CET=0.86 nm
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of high-K gate stacks with epitaxial Gd2O3 and FUSI NiSi metal gates down to CET=0.86 nm Investigation of high-K gate stacks with epitaxial Gd2O3 and FUSI NiSi metal gates down to CET=0.86 nm](/preview/png/729391.png)
چکیده انگلیسی
Novel gate stacks with epitaxial gadolinium oxide (Gd2O3) high-k dielectrics and fully silicided (FUSI) nickel silicide (NiSi) gate electrodes are investigated. Ultra-low leakage current densities down to 10–7 A cm–2 are observed at a capacitance equivalent oxide thickness of CET=1.8 nm. The influence of a titanium nitride (TiN) capping layer during silicidation is studied. Furthermore, films with an ultra-thin CET of 0.86 nm at a Gd2O3 thickness of 3.1 nm yield current densities down to 0.5 A cm−2 at Vg=+1 V. The extracted dielectric constant for these gate stacks ranges from k=13 to 14. These results emphasize the potential of NiSi/Gd2O3 gate stacks for future material-based scaling of CMOS technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 904–908
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 9, Issue 6, December 2006, Pages 904–908
نویسندگان
H.D.B. Gottlob, T. Echtermeyer, T. Mollenhauer, J.K. Efavi, M. Schmidt, T. Wahlbrink, M.C. Lemme, H. Kurz,