کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7934458 | 1512881 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improving Ion/Ioff in dual-gate graphene nanoribbon field-effect transistors using local uniaxial tensile strain
ترجمه فارسی عنوان
بهبود یون / یوف در ترانزیستورهای میدان مغناطیسی گرافن با گرافیت دو با استفاده از کشش کششی یک طرفه محلی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
In this work, we present the Dual-Gate Graphene Nano Ribbon Field Effect Transistor (DG-GNRFET) under local uniaxial strain in source and drain regions as a device suitable for switching applications. Our investigations are based on the 2D Poisson based on an atomistic mode-space approach and Schrodinger equations, within the Non-Equilibrium Green's (NEGF). We show a high on-current and on-off ratio which can be obtained using the combination of techniques such as applying uniaxial strain to the portion of channel/source regions and the gate overlap. We followed an optimization process to find the best performance of the device. Finally, the proposed device shows a higher on-current and on-off ratio becomes about 100 times greater than of the unstrained device.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 68, April 2015, Pages 143-148
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 68, April 2015, Pages 143-148
نویسندگان
Mohammad Reza Moslemi, Mohammad Kazem Moravej-Farshi, Mohammad Hossein Sheikhi,