کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032455 | 1517950 | 2018 | 21 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of a SiGe interfacial layer on the growth of a SiC layer on Si with voids at the interface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A comparative study is performed of the properties of SiC films, grown in the presence and absence of a Si1âxGex interfacial layer on top of a Si(111) substrate with xâ¯=â¯0.23. The SiC film growth is carried out at 960â¯Â°C by carbonization of the substrates with a solid carbon source using molecular beam epitaxy, leading to void formation at the SiC/substrate interface. The film properties have been investigated by transmission electron microscopy, x-ray diffraction, Rutherford backscattering spectrometry, and atomic force microscopy. The results show that the presence of the Si1âxGex layer improves the crystal quality and surface smoothness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 662, 30 September 2018, Pages 103-109
Journal: Thin Solid Films - Volume 662, 30 September 2018, Pages 103-109
نویسندگان
Raghavendra Rao Juluri, Peter Gaiduk, John Lundsgaard Hansen, Arne Nylandsted Larsen, Brian Julsgaard,