کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032466 | 1517950 | 2018 | 25 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electric field effects on nonlinear optical rectification in symmetric coupled AlxGa1âxAs/GaAs quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nonlinear optical rectification in symmetric coupled AlxGa1âxAs/GaAs quantum wells with external electric field is investigated using numerical method and compact density matrix approach. Our results reveal that for the resonant peaks of optical rectification, a blue shift is exhibited for increasing electric field, while a red shift followed by a blue shift is exhibited for increasing barrier or well widths. The resonant peak values of optical rectification can reach a maximum value by an appropriate choice for the electric field, the barrier or well widths. Our studies pave the way for the design, optimization and applications of quantum-sized nonlinear optoelectronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 662, 30 September 2018, Pages 27-32
Journal: Thin Solid Films - Volume 662, 30 September 2018, Pages 27-32
نویسندگان
Guanghui Liu, Kangxian Guo, Zhongmin Zhang, Hassan Hassanbadi, Liangliang Lu,