کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032558 | 1517954 | 2018 | 28 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of annealing atmosphere on crystallization of amorphous Si1-xGex thin film by Raman spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In the case of a-Si thin films containing Ge atoms, the crystallization in the a-Si1-xGex (xâ¯<0.25) film was not promoted, although a-Si1-xGex (xâ¯â¥0.25) film was crystalized when the annealing in a N2 atmosphere. However, crystallization of the a-Si1-xGex (xâ¯=â¯0, 0.14, 0.27) were not promoted by the annealing under Ar atmosphere or in vacuum. The distortion induced by the presence of Ge atoms in the random-network of Si1-xGex, at a content below 25%, stabilizes the amorphous structure and obstructs the crystallization even in the annealing under the N2 atmosphere.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 658, 31 July 2018, Pages 61-65
Journal: Thin Solid Films - Volume 658, 31 July 2018, Pages 61-65
نویسندگان
Nobuaki Makino, Yukichi Shigeta,