کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032598 | 1517955 | 2018 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Polycrystalline MnGe2 thin films on InAs(001) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the growth of MnGe2 thin films on InAs(001) substrates using radio frequency-magnetron co-sputtering. Polycrystalline thin films were obtained at a substrate temperature of 353â¯K. X-ray diffractometry was used to identify the tetragonal MnGe2 phase (space group I4/mcm). Measurements of the magnetic field and temperature dependence of the magnetization revealed that the MnGe2 thin films are ferromagnetic with a magnetization of 280â¯kAmâ1 and a Curie temperature of 62â¯K. Additionally, an antiferromagnetic component is observed at low temperatures, which may arise atomic disorder at the grain boundaries between MnGe2 crystallites.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 657, 1 July 2018, Pages 38-41
Journal: Thin Solid Films - Volume 657, 1 July 2018, Pages 38-41
نویسندگان
David Gutiérrez-Naranjo, José T. HolguÃn-Momaca, Ãscar O. SolÃs-Canto, Preeti Gupta, Pankaj Poddar, Francisco Espinosa Magaña, Sion F. Olive-Méndez,