کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8032603 1517952 2018 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A study on the persistent photoconductance and transient photo-response characteristics of photochemically activated and thermally annealed indium‑gallium‑zinc-oxide thin-film transistors
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه بر روی خواص فتو-هدایت فزاینده و عکسبرداری گذرا از ترانزیستورهای نازک روی پلی کربن فعال و گرمازدایی شده آنزیم آلکالین آلیاژ گالیم آلکالین
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Here, we report the persistent photoconductance (PPC) and transient photo-response characteristics of photochemically activated and thermally annealed indium‑gallium‑zinc-oxide (IGZO) thin-film transistors (TFTs). From various analyses on the time-variant photo-current change in IGZO TFTs, it was found that photochemically activated IGZO TFTs exhibited significantly weak PPC behavior and rapid photo-decaying characteristics compared to thermally annealed IGZO TFTs. It is claimed that such behaviors of photochemically activated IGZO TFTs are due to the low activation energy for the neutralization of ionized oxygen vacancies, which can be beneficial in achieving highly photo-stable electronic devices. Furthermore, we report the influence of pulsed gate bias on the photo-decaying characteristics of photochemically activated and thermally annealed IGZO TFTs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 660, 30 August 2018, Pages 749-753
نویسندگان
, , , , ,