کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032612 | 1517952 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodiodes based on reduced graphene oxide/GaN Schottky contacts
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report on the characteristics of reduced graphene oxide (rGO)/GaN Schottky diodes in which the reduction process is performed at various temperatures. The Schottky barrier height of the rGO/GaN Schottky diode peaks at 1.07â¯eV with the reduction temperature of 650â¯Â°C, caused by changes in the O-containing functional groups and surface Fermi-level pinning during thermal reduction. The interdigitated rGO/GaN metal-semiconductor-metal photodiode using GO reduced at 650â¯Â°C exhibits a responsivity of 0.128 A/W under 365-nm illumination, with a sharp cutoff near the GaN energy bandgap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 660, 30 August 2018, Pages 824-827
Journal: Thin Solid Films - Volume 660, 30 August 2018, Pages 824-827
نویسندگان
Bhishma Pandit, Jaehee Cho,