کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032982 | 1517964 | 2018 | 20 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of self-aligned PtSi silicide nanowires and nanoclusters on p-type Si (111) by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this report Molecular Beam Epitaxy (MBE) is shown to produce self-aligned platinum silicide (PtSi) nanoclusters and nanowires on Si (111) substrate near the eutectic point (T = 978 °C and 67 at.% Si) of the platinum silicon system. With an added silicon source in the MBE annealing chamber, the formation of two different silicon steps (straight and wave-like) is reported. The steps determine the position and the shape of the thermomigrating PtSi droplets. Nanoclusters preferentially form in the triple point of the wave-like steps while nanoclusters that form on the straight steps combine and grow into silicide nanowires.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 648, 28 February 2018, Pages 26-30
Journal: Thin Solid Films - Volume 648, 28 February 2018, Pages 26-30
نویسندگان
Z.M. Khumalo, M. TopiÄ, C. Comrie, B. Opperdoes, A.J. van Vuuren, M. Blumenthal,