کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8033355 | 1517971 | 2017 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of Li-doping on low temperature solution-processed indium-zinc oxide thin film transistors
ترجمه فارسی عنوان
اثر لیپی دوپینگ بر روی ترانزیستورهای فیلم نازک اکسید روی پلی کربنات با دمای پایین
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Lithium (Li)-doped indium zinc oxide (IZO) thin film transistors (TFTs) were fabricated on solution-processed zirconium oxide gate dielectrics using a low temperature all solution process. Li-doping in IZO thin films led to higher crystallinity, even at process temperature lower than 300 °C, and to the formation of favorable oxidation states of metal ions. The results were confirmed by electrical property analysis of the Li-doped IZO TFTs. For Li content varied from 0 to 16.6 at.%, the highest field-effect mobility, on/off current ratio, subthreshold slope and stress bias stability were obtained for Li-doping concentration of 9.0 mol%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 641, 1 November 2017, Pages 19-23
Journal: Thin Solid Films - Volume 641, 1 November 2017, Pages 19-23
نویسندگان
Soo-Yeun Han, Manh-Cuong Nguyen, An Hoang Thuy Nguyen, Jae- Won Choi, Jung-Youn Kim, Rino Choi,