کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8033753 | 1518006 | 2016 | 19 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Updated insight into the use of μc-Si:H n-layers in a-Si:H solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Although a-Si:H solar cells have great potential in different applications, enhancing their efficiency is still a challenge. An approach to increase the short-circuit current of single junction a-Si:H pin solar cells consists on using μc-Si:H in the n-layer. In this paper we compare the properties of structures with a-Si:H n-layers and a μc-Si:H one. We also developed a precise and complete simulation model for further study of the involved electrical variables. For the simulation of the structure with μc-Si:H a thermionic model must be used. The data was analyzed through the scope of recent findings which highlight the role of conductivity difference in the carrier transport of illuminated solar cells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 603, 31 March 2016, Pages 283-288
Journal: Thin Solid Films - Volume 603, 31 March 2016, Pages 283-288
نویسندگان
M. Fortes, E. Comesaña, J.A. Rodriguez, P. Otero, A.J. Garcia-Loureiro,