کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8033924 | 1518015 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of surface blistering in GaN by hydrogen implantation at elevated temperatures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have investigated mechanisms of ion-cut in H2+-implanted GaN by analyzing microstructural features of H2+-implanted GaN at room temperature, 573Â K and 723Â K. Using optical microscopy and transmission electron microscopy, it was found that the in-plane compressive stress induced by the H-implantation was necessary for H-platelet nucleation and growth. The control of implantation temperature is crucial for creating sufficient in-plane compressive stress to induce surface blistering.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 590, 1 September 2015, Pages 64-70
Journal: Thin Solid Films - Volume 590, 1 September 2015, Pages 64-70
نویسندگان
B.S. Li, Z.G. Wang, H.P. Zhang,