کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8034059 | 1518020 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of sublayer thickness on electroluminescence from a-Si:H/SiNx superlattice structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Luminescent a-Si:H/SiNx superlattice structures (SLs) with different thicknesses of sublayers were fabricated on indium tin oxide coated glass by three electrode chemical vapour deposition chamber. Transmission electron micrograph revealed small amount of silicon nanocrystallites embedded between two SiNx sublayers. Electroluminescence (EL) and electrical properties of the SLs were investigated. The dominant current mechanism is considered to be Fowler-Nordheim tunnelling under high electric field. EL mechanism is attributed to bipolar recombination of hole-electron pairs. EL spectrum of the SLs was deconvoluted into two Gaussian peaks with a major band at around ~Â 700Â nm and minor at ~Â 560Â nm. EL spectra blue-shift with decreasing the thickness of a-Si:H sublayers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 585, 30 June 2015, Pages 20-23
Journal: Thin Solid Films - Volume 585, 30 June 2015, Pages 20-23
نویسندگان
Tomas Grigaitis, Arnas Naujokaitis, Giedrius JuÅ¡ka, KÄstutis Arlauskas,