کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8034117 | 1518022 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of flexible substrate thickness on Al-induced crystallization of amorphous Ge thin films
ترجمه فارسی عنوان
اثرات ضخامت بستر انعطاف پذیر در القای القاء القایی از فیلم های نازک گور
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
جهت گیری کریستال، کریستال شدن فاز جامد، فیلمهای پلی کریستال، نیمه رسانای ژرمانیوم،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Amorphous germanium (a-Ge) thin films were directly crystallized on flexible plastic substrates at 325 °C using Al-induced crystallization. The thickness of the plastic substrate strongly influenced the crystal quality of the resulting polycrystalline Ge layers. Using a thicker substrate lowered the stress on the a-Ge layer during annealing, which increased the grain size and fraction of (111)-oriented grains within the Ge layer. Employing a 125-μm-thick substrate led to 95% (111)-oriented Ge with grains having an average size of 100 μm. Transmission electron microscopy demonstrated that the Ge grains had a low-defect density. Production of high-quality Ge films on plastic substrates allows for the possibility for developing Ge-based electronic and optical devices on inexpensive flexible substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 583, 29 May 2015, Pages 221-225
Journal: Thin Solid Films - Volume 583, 29 May 2015, Pages 221-225
نویسندگان
Naoki Oya, Kaoru Toko, Noriyuki Saitoh, Noriko Yoshizawa, Takashi Suemasu,